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第1444节（第1页）

他既然是专程来考察光刻机，那对于这些基本参数自然有所了解。

虽然被一大堆突然涌入的数据搞得有些头脑胀，但还是敏锐地捕捉到了其中最关键的部分。

na值，1.8o！

“我记得之前提交上去的那份评估报告里，最高规格的数值孔径预估是1.7o？”

面对这个问题，张汝宁脸上露出一丝茫然。

他并不清楚有个什么评估报告的事情。

常浩南则立刻接过话头解释道：

“栾主任，那份报告里使用的1.7o数值，值是我们在进行不同技术路线横向比较时设定的……嗯……参照基准，当时为了公平对比，说明镥铝石榴石体系的优势，我设定的前提是其他所有条件，比如光源、视场、机械平台等都保持一致。”

“但在实际设计过程中，因为物镜组的整体结构变得简单了很多，所以这套系统的底镜有效视场比之前的15oo物镜组拓宽了大约15%……换句话说，在相同na值要求下，光线通过物镜边缘区域的入射角度可以更小，这极大地减轻了设计高na系统时最难克服的边缘像差压力……”

“……”

“总之，”他最后总结道：“这o.1的额外提升，是设计自由度增加带来的实际工程红利，也是新方案综合优越性的直接体现。”

栾文杰未必完全听懂了他的长篇大论，但眼前的结果显然令他心情大好：

“所以常院士，刚才你提到华芯国际能以mpp工艺大批量生产新一代的7nm芯片，关键就在于这个1.8o的na值？”

常浩南点头：“正是。”

接着，又从旁边拿过一张表格递给对方：

“1.8o的数值孔径，相当于我们把193nmduv光源的等效波长压缩到了1o7.22nm，对比na值1.35的老体系，相当于把特征尺寸的理论极限从4onm一举推进到27nm左右！”

栾文杰的视线表格上飞移动，最终找到了27nm对应的节点尺寸——

三星的5nm，或tsmnetm。

总之，已经是目前最强的一档。

是过去一般认为，只有euv光刻机才能够涉足的领域。

看到对方的视线已经不再移动，常浩南终于给出了阶段性的结论：

“这个能力，足以覆盖当前tsmnetm，乃至未来3-5年内可能出现的更先进节点的全部生产需求！而且，都是依靠单次曝光工艺就能稳定实现的。”

“更重要的是，arf-18oo光刻机的主体架构，除了这个革命性的物镜组以外，其余光源系统、精密工件台、掩模台以及对准器等核心子系统，都沿用了arf-15oo平台上的成熟设计，最大程度地保证了设备的可靠性用户的转产度。”

说到这里他稍作停顿，让栾文杰有些缓冲的时间。

之后，又掷地有声地强调：

“这意味着，一旦设备交付，华芯国际能够在最短时间内完成产线切换和产能爬坡，无需漫长的调试和适应期，供应链的每一个环节，从材料、设计到制造，都牢牢掌握在我们自己手中，稳定、安全、可控！”

第1622章现在和未来，都是我们的

或许是为了给这番论述一个直观的注脚，张汝宁走到测试平台旁，小心翼翼地从特制载物架上取下一片晶圆，交到栾文杰手中。

经过特殊处理的硅片表面光滑如镜，肉眼看去并无特殊之处。

但旁边的显示屏随之亮起，清晰地呈现出一个由无数细微线条构成的、边缘锐利无比的字母。

“f”。

“受限于这里的条件，我们没有完整的晶圆台和光刻胶处理线，无法制造出包含复杂电路的完整芯片。”张汝宁指着屏幕解释道，“但是，您看到的这个字母‘f’，其每一笔划的线宽，都是严格按照3onm的特征尺寸设计并光刻出来的。”

他伸手轻轻点在屏幕上那个清晰锐利的“f”上，加重语气：

“3onm，已经过了tsmnetm工艺所能达到的实际精度。”

栾文杰双手捧着那片小小的晶圆，如同捧着一块稀世珍宝。

尽管根本不可能分辨出3onm的细微线条，但他依旧看得无比专注——

这手掌上的方寸之间，蕴含着足以撼动全球半导体、乃至全球科技格局的力量。

沉默，持续了足有一分钟。

终于，栾文杰长长地、极其缓慢地吁出一口气，动作轻柔地将晶圆交还给张汝宁。

似乎还带着些许不舍。

“这块晶圆，我们会做专门保存。”常浩南看出了对方的心思，出言道，“这是我们在半导体生产领域反的起点，以后可以放进工建委的博物馆里。”

说起这个，他突然想起了那块至今还放在地下仓库里面的b2碎片。

“算了。”栾文杰低声感叹，声音透过面罩显得有些沉闷，“这东西就算能展出，我们怕是也抢不过国博……”

一个玩笑，让现场的气氛轻松了不少。

但很快，他又话锋一转。

“我之前去华芯国际调研的时候，听他们的技术专家提到过。”栾文杰提出了一个更长远的问题，“在当前硅基cmos工艺的物理框架下，制程的极限大概在5nm或者3nm附近，如果按照刚才计算的1o7.22nm等效波长来推算……”

“是否意味着，未来我们这台arf-18oo，也有可能通过技术优化，用于生产下一代，甚至下两代的产品？这关系到我们战略窗口期的长短！”

这个问题，张汝宁已经等待了很久。

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